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Comprehensive understanding of electron mobility and superior performance in sub-10 nm DG ML tetrahex-GeC 2 n-type MOSFETs - Physical Chemistry Chemical Physics (RSC Publishing) DOI:10.1039/D3CP05327J
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商品詳細情報
| 管理番号 | 中古 ：68906125414 | メーカー | a6ab1 | 発売日 | 2025-04-11 07:35 | 定価 | 8000円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
Comprehensive understanding of electron mobility and superior performance in sub-10 nm DG ML tetrahex-GeC 2 n-type MOSFETs - Physical Chemistry Chemical Physics (RSC Publishing) DOI:10.1039/D3CP05327J
Comprehensive understanding of electron mobility and superior performance in sub-10 nm DG ML tetrahex-GeC 2 n-type MOSFETs - Physical Chemistry Chemical Physics (RSC Publishing) DOI:10.1039/D3CP05327J,All-dielectric nonlinear metasurface: from visible to vacuum ultraviolet | npj Nanophotonics,Angle-Resolved Optical Imaging of Interlayer Rotations in Twisted Bilayer Graphene | ACS Applied Materials & Interfaces,Surfaces of Bulk Oxides | SpringerLink,Angle-Resolved Optical Imaging of Interlayer Rotations in Twisted Bilayer Graphene | ACS Applied Materials & Interfaces
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